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精確定位的高帶寬新型首圈電機(jī)驅(qū)動(dòng)器研究
  為了實(shí)現(xiàn)單碟硬盤(HDD)容量越來越高的需求,HDD應(yīng)具有極高的磁道密度,這需要一個(gè)具有高伺服帶寬的磁頭定位系統(tǒng)。國際上許多研究者致力于提高磁頭定位系統(tǒng)的伺服帶寬117.其中一種方法是使用雙級驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)一音圈電機(jī)(VCM)驅(qū)動(dòng)器為第一級,微型驅(qū)動(dòng)器為第二級1451;另一種方法是改善傳統(tǒng)的單級VCM驅(qū)動(dòng)器的機(jī)械動(dòng)力113671.對于雙級驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),必須對第一級驅(qū)動(dòng)進(jìn)行極體的暴露會(huì)給驅(qū)動(dòng)器的生產(chǎn)和大改進(jìn),得到高的機(jī)械帶寬才能改善整個(gè)系統(tǒng)的性能。而對于單級定位,已開發(fā)出一種高度改進(jìn)的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以支持高達(dá)100kTPI以上的磁道密度,這種方法既節(jié)約制造和裝配的成本又非??煽?。這樣基于VCM驅(qū)動(dòng),產(chǎn)生正交力或純力矩是增加機(jī)械帶寬的有效途梗13.由于傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器固有的中頻帶共振嚴(yán)重限制了伺服帶寬(大約為驅(qū)動(dòng)器主共振頻率的20%)因而使得讀寫頭跟蹤系統(tǒng)無法達(dá)到硬盤驅(qū)動(dòng)高TIP刻錄的要求。在這些難以預(yù)料的中頻帶共振中,橫向準(zhǔn)剛性體震動(dòng)模式(QR模式)是磁頭定位系統(tǒng)的伺服帶寬受到限制的主要因素。而QR模式主要是由中樞軸承的彈力和驅(qū)動(dòng)器活動(dòng)部件的質(zhì)量產(chǎn)生的。對于傳統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)器,QR模式通常在3內(nèi)。另外,第一橫向面內(nèi)彎曲震動(dòng)模式是影響伺服帶寬的又一個(gè)因素,通常位于7~10kHz.QR模式的低頻明顯限制了由傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)組件支撐的伺服系統(tǒng)的帶寬。因此增加磁頭定位系統(tǒng)伺服帶寬的關(guān)鍵在于盡量減少或者完全去除QR模式。
  本文介紹了一種帶有新型線圈磁體結(jié)構(gòu)的高帶寬動(dòng)圈式音圈電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以產(chǎn)生正交力或者純力矩。由于簡單的扁平拉長動(dòng)圈構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器,與硬盤使用的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器一樣簡單。研究表明這種設(shè)計(jì)中由中樞軸承和軸引起的中頻QR模式得到顯著抑制,使得主共振頻率提高到到11kHz如果使用高硬度材料制造臂件,主共振頻率可提高到15kHz. 1驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)造1.1傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)造與缺陷硬盤廣泛采用的傳統(tǒng)動(dòng)圈VCM定位系統(tǒng)如所示。由圖可見,傳統(tǒng)VCM產(chǎn)生的推動(dòng)力Fa在橫向方向有一個(gè)很大的分量。這個(gè)分量在中樞軸承裝配上產(chǎn)生一個(gè)顯著的反作用力Fr,F(xiàn)r激發(fā)橫向的QR模式,嚴(yán)重影響了磁頭定位系統(tǒng)的精確追蹤。
  表示傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器自身激發(fā)的兩種具有代表性的共振:QR模式(3~5kHz)和橫向面內(nèi)彎曲模式(7~10kHz)。對應(yīng)的頻率響應(yīng)如所示。由圖可知傳統(tǒng)執(zhí)行器的頻率響應(yīng)特征中有兩個(gè)峰值分別對應(yīng)于QR模式和橫向面內(nèi)彎曲模式。為了充分改進(jìn)單驅(qū)動(dòng)器的性能,尤其是動(dòng)態(tài)特性,從而抑制反作用力激發(fā)的QR模式,研究者采用了許多方法,包括移動(dòng)磁體驅(qū)動(dòng)器中提到的線圈與定位平面的垂直驅(qū)動(dòng)器均不相同。線圈是一個(gè)簡單的扁平拉長動(dòng)圈。永久磁鐵被設(shè)計(jì)為4個(gè)依次緊緊安置在軛面上的可選極,可以通過有4極的磁鐵或者2個(gè)各有2極的磁鐵實(shí)現(xiàn)。單平面驅(qū)動(dòng)音圈與一組磁極的獨(dú)特設(shè)計(jì)加上軛部組件可以在線圈的4個(gè)部分中產(chǎn)生力F1、F2、F3和F4.如所示,這些力與橫向面正交,因此顯著抑制了該面上產(chǎn)生的施加在中樞軸承和軸上的反作用力。理想情況下,由中樞軸承和軸組件產(chǎn)生的中頻帶頻率QR模式可被完全消除。同時(shí),所使用的平面線圈、永久磁鐵和軛面與傳統(tǒng)VCM中幾乎一樣簡單因此生產(chǎn)和裝配過程也與傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器一樣簡單。
  2電磁設(shè)計(jì)與優(yōu)化新型高帶寬驅(qū)動(dòng)器的電磁設(shè)計(jì)和優(yōu)化目標(biāo)是在音圈電機(jī)體積最小、用料最少的情況下使得力矩或電機(jī)常數(shù)最大化。同時(shí)使驅(qū)動(dòng)器在一定角度位移的情況下以最短的尋找時(shí)間和最小的能耗產(chǎn)生足夠的力或者力矩去移動(dòng)一定的負(fù)荷(線圈、線圈支撐、臂、懸掛和滑塊)。通過使用二維有限元分析大致確定一些關(guān)鍵尺寸和電磁參數(shù),包括電機(jī)高度、磁鐵形狀和尺寸、氣隙磁通密度以及氣隙長度。優(yōu)化電機(jī)磁路和線圈的設(shè)計(jì)參數(shù)以滿足最大力矩和電機(jī)常數(shù)。磁軛的側(cè)面被用于平衡磁路。由于音圈的優(yōu)化空間有限,線圈的設(shè)計(jì)必須滿足有效導(dǎo)體和額定功率最大化。同時(shí)需要考慮輸入充足功率以獲得良好的存取性能盡可能少功耗。對于一定的場強(qiáng),用最少的能耗獲得最佳的存取性能是線圈設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵問題。使用三維有限元分析對電磁設(shè)計(jì)進(jìn)一步優(yōu)化。電磁設(shè)計(jì)中預(yù)測的新型驅(qū)動(dòng)器的一些參數(shù)與3.5"HDD中使用的傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器參數(shù)的比較如表1所示。表中::、L、Kf、Tr、m、Te、Tm、a分別為線圈電阻、線圈電感、轉(zhuǎn)矩常數(shù)、電機(jī)常數(shù)、轉(zhuǎn)動(dòng)慣量、電時(shí)間常數(shù)、機(jī)械時(shí)間常數(shù)、加速率。由表可見對新型驅(qū)動(dòng)器的電磁設(shè)計(jì)優(yōu)化得到比傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器中更好的電磁性能。
  表1高帶寬驅(qū)動(dòng)器和傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器的電磁參數(shù)驅(qū)動(dòng)器??赏ㄟ^有限元分析證明:用鋁硼如所示,橫向面內(nèi)彎曲模式的頻率變?yōu)?kHz(1)由于新型高帶寬驅(qū)動(dòng)器中音圈電機(jī)的獨(dú)特左右。這樣就可以解釋為什么腧果限元結(jié)構(gòu)和磁體排列,新型驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的力與橫向正交,元分析預(yù)測的結(jié)果11. 5kHz要低很多,這主要是由驅(qū)動(dòng)器的原型器件造成的。由于原型器件的線圈是手工制成的,而且驅(qū)動(dòng)器VCM部分的強(qiáng)度比通常情況下有限元分析中使用的要低很多,導(dǎo)致了整個(gè)結(jié)構(gòu)硬度的下降,降低了橫向面內(nèi)彎曲模式的頻率,這一點(diǎn)可通過有限元分析進(jìn)行驗(yàn)證。將線圈和線圈支持(塑料)的彈性模量分別降至原來值的1/5,炭合物取代鋁作為臂部件材料,橫向面內(nèi)彎曲的頻率變?yōu)?5.7kHz,比11.5kHz高出很多。
  4結(jié)語本文設(shè)計(jì)了一種新型高帶寬動(dòng)圈驅(qū)動(dòng)器,并對其進(jìn)行優(yōu)化和分析。其特點(diǎn)如下:得到純力矩,使中樞軸承和軸上產(chǎn)生的反作用力顯著降低。
  用有限元分析對一些關(guān)鍵的電磁參數(shù)和尺寸進(jìn)行優(yōu)化與預(yù)測,表明新型高帶寬驅(qū)動(dòng)器的電磁性能明顯優(yōu)于傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)器。
  采用三維有限元分析法對新型高帶寬驅(qū)動(dòng)器的動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行評估,它的頻率響應(yīng)特征表明影響伺服帶寬的橫向準(zhǔn)剛性體震動(dòng)模式(QR模式)被顯著抑制。因而在高磁道密度記錄中,新型高帶寬驅(qū)動(dòng)器支持的伺服系統(tǒng)可以得到更高的帶寬。
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